10.5nm突破！中安半导体铸就国产半导体量测设备新高度
发布时间：2026-07-10 15:54:50 作者：玩站小弟 
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我要评论电子发烧友网报道文 / 吴子鹏）在半导体产业向先进制程与 3D 集成深度迈进的关键阶段，量检测设备作为芯片制造良率保障的核心环节，其技术水平直接决定着半导体产业链的进阶速度。SEMICON 2026
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电子发烧友网报道（文 / 吴子鹏）在半导体产业向先进制程与 3D 集成深度迈进的突破体铸体量关键阶段，量检测设备作为芯片制造良率保障的中安核心环节，其技术水平直接决定着半导体产业链的半导半导备新进阶速度。SEMICON 2026 期间，国产高度作为国内量测与检测领域的测设领军企业，中安半导体重磅发布颗粒检测设备ZP8，突破体铸体量以10.5nm的中安极限灵敏度打破国际垄断，标志着国产半导体量检测设备在核心技术指标上实现对全球顶尖水平的半导半导备新并跑。
中安半导体表示：“我们深知，国产高度只有精准发现每一处微小缺陷，测设才能真正帮助客户提升生产良率，突破体铸体量满足严苛的中安制造需求。ZP8 作为一款10.5nm 灵敏度颗粒缺陷检测设备，半导半导备新能够支持更先进制程下的国产高度缺陷捕捉。未来，测设中安半导体将继续秉持客观、严谨的科研态度，深耕半导体量测与检测领域，研发更多覆盖全工艺流程的高端设备。”
中安半导体市场应用 VP 初新堂（Seddy Chu）指出：“在 AI 浪潮推动半导体演进的过程中，我们观察到两个核心工艺挑战：一是尺寸微缩的极限挑战，随着特征尺寸不断缩小，对晶圆（Wafer）表面质量的要求已达到近乎苛刻的程度。当行业进入 3nm 节点时，所需缺陷检测灵敏度已逼近11.5nm 甚至更高；二是堆叠架构的物理挑战，在 3D IC 与层叠技术中，随着堆叠层数增加，形变与翘曲问题愈发凸显。作为设备供应商，中安半导体必须走在主流制程演进的前面。”
自 2024 年 ZP3 系列问世以来，中安半导体始终保持着规律且高效的研发节奏——每半年到一年就会实现一次技术跨代。据介绍，24年6月推出的ZP3系列具有26nm灵敏度；2024年9月，ZP6系列发布，灵敏度提升至17nm；2025年6月，ZP7系列突破12.5nm灵敏度；直至2026年的ZP8，一举突破10.5nm。
包括对激光系统的优化设计、针对高分辨率需求定制的特殊物镜结构、具备极高稳定性的高精度转台系统，以及图像传感器与深度学习算法的融合应用，这种“光学+机械+算法”的系统级优化，使其能够在裸硅片（Bare Wafer）上实现对超微小缺陷的稳定捕获。
在SEMI M50-1104国际标准测试下，ZP8 对 10.5nm 颗粒的捕获率达到95% 以上。从裸片（Bare Wafer）到复杂 High-k Layer（高 k 介质层）等多种工艺片，ZP8 在不同膜层均展现出优异性能。
初新堂认为，三维集成面临两大核心挑战：
·堆叠尺寸持续微缩：层数增加，单层厚度与整体结构尺寸不断减小；
·检测精度极致化：结构越复杂，缺陷捕获与量测精度要求越高。
键合（Bonding）是实现 3D 器件的物理基础，没有高可靠键合，就没有真正的 3D 芯片。然而，键合过程中产生的晶圆翘曲、形变，会直接导致上下层电路图形错位（键合对准偏差，Bonding Overlay），并影响后续光刻精度。
中安市场VP初新堂指出，WGT300系列晶圆几何量测设备是破解这一难题的钥匙。WGT300系列的核心思路是通过全局数据量测，为工艺提供最优解。通过WGT300系列可获取全场高度信息采集，获取整片晶圆（Full Wafer）上每一个像素点的高度信息，从而精确算出晶圆的翘曲度（Warp/Bow）并指导工艺端实现分区域精准调节，使晶圆在键合前达到最优形貌（Best Shape）。
在硅片厂领域，中安半导体打造了专用的WGT300系列量测设备，覆盖硅片线切、研磨、双面抛光、刻蚀、清洗到最终出货检的全流程关键工艺节点，配套自主研发的数据分析软件，可满足硅片厂生产数据实时监控与全生命周期质量追溯的核心需求。针对大尺寸硅片的量产要求，设备在平均厚度、GBIR、SFQR、ESFQR 等核心指标上展现出了行业顶尖的 TOR 表现，同时针对先进制程对超平整晶圆的极致要求，公司已在下一代产品中布局了高精度干涉测量、低噪声厚度测量模块、抗条纹印迹效应算法等多项革新性技术，为国内大硅片产业的技术升级提供核心设备支撑。
在制程微缩与 3D 集成双轮驱动的半导体未来，量检测设备如同芯片制造“良率堡垒”上的瞭望塔与刻度尺。中安半导体凭借 ZP8 的 10.5nm 突破与半导体制造全流程的技术布局：形成了覆盖颗粒检测、3D 集成键合量测、硅片厂全流程管控的三大产品矩阵，真正实现了从衬底制造到芯片封装的良率管理全链条覆盖。
中安半导体表示：“我们深知，国产高度只有精准发现每一处微小缺陷，测设才能真正帮助客户提升生产良率，突破体铸体量满足严苛的中安制造需求。ZP8 作为一款10.5nm 灵敏度颗粒缺陷检测设备，半导半导备新能够支持更先进制程下的国产高度缺陷捕捉。未来，测设中安半导体将继续秉持客观、严谨的科研态度，深耕半导体量测与检测领域，研发更多覆盖全工艺流程的高端设备。”
AI驱动下-检测设备已成先进制程刚需
全球 AI 浪潮的爆发，正驱动半导体技术迎来全方位变革：从先进逻辑制程的 GAA/CFET 架构，到 DRAM、NAND 的三维升级，再到 HBM、3D IC、Chiplet 等先进封装技术的普及，“微型化 + 键合”成为器件架构演进的主流方向。中安半导体市场应用 VP 初新堂（Seddy Chu）指出：“在 AI 浪潮推动半导体演进的过程中，我们观察到两个核心工艺挑战：一是尺寸微缩的极限挑战，随着特征尺寸不断缩小，对晶圆（Wafer）表面质量的要求已达到近乎苛刻的程度。当行业进入 3nm 节点时，所需缺陷检测灵敏度已逼近11.5nm 甚至更高；二是堆叠架构的物理挑战，在 3D IC 与层叠技术中，随着堆叠层数增加，形变与翘曲问题愈发凸显。作为设备供应商，中安半导体必须走在主流制程演进的前面。”
自 2024 年 ZP3 系列问世以来，中安半导体始终保持着规律且高效的研发节奏——每半年到一年就会实现一次技术跨代。据介绍，24年6月推出的ZP3系列具有26nm灵敏度；2024年9月，ZP6系列发布，灵敏度提升至17nm；2025年6月，ZP7系列突破12.5nm灵敏度；直至2026年的ZP8，一举突破10.5nm。
硬核解码：ZP8 如何挑战物理极限？
ZP8 实现 10.5nm 灵敏度突破并非偶然，而是光学系统、硬件架构与底层算法深度耦合的成果。包括对激光系统的优化设计、针对高分辨率需求定制的特殊物镜结构、具备极高稳定性的高精度转台系统，以及图像传感器与深度学习算法的融合应用，这种“光学+机械+算法”的系统级优化，使其能够在裸硅片（Bare Wafer）上实现对超微小缺陷的稳定捕获。
在SEMI M50-1104国际标准测试下，ZP8 对 10.5nm 颗粒的捕获率达到95% 以上。从裸片（Bare Wafer）到复杂 High-k Layer（高 k 介质层）等多种工艺片，ZP8 在不同膜层均展现出优异性能。
解决 3D 集成时代的键合痛点
如果说 ZP8 的突破解决了先进制程的颗粒检测痛点，那么中安半导体WGT300 系列晶圆几何量测设备，则为 3D 集成带来的晶圆键合与几何量测难题提供全流程解决方案。初新堂认为，三维集成面临两大核心挑战：
·堆叠尺寸持续微缩：层数增加，单层厚度与整体结构尺寸不断减小；
·检测精度极致化：结构越复杂，缺陷捕获与量测精度要求越高。
键合（Bonding）是实现 3D 器件的物理基础，没有高可靠键合，就没有真正的 3D 芯片。然而，键合过程中产生的晶圆翘曲、形变，会直接导致上下层电路图形错位（键合对准偏差，Bonding Overlay），并影响后续光刻精度。
中安市场VP初新堂指出，WGT300系列晶圆几何量测设备是破解这一难题的钥匙。WGT300系列的核心思路是通过全局数据量测，为工艺提供最优解。通过WGT300系列可获取全场高度信息采集，获取整片晶圆（Full Wafer）上每一个像素点的高度信息，从而精确算出晶圆的翘曲度（Warp/Bow）并指导工艺端实现分区域精准调节，使晶圆在键合前达到最优形貌（Best Shape）。
在硅片厂领域，中安半导体打造了专用的WGT300系列量测设备，覆盖硅片线切、研磨、双面抛光、刻蚀、清洗到最终出货检的全流程关键工艺节点，配套自主研发的数据分析软件，可满足硅片厂生产数据实时监控与全生命周期质量追溯的核心需求。针对大尺寸硅片的量产要求，设备在平均厚度、GBIR、SFQR、ESFQR 等核心指标上展现出了行业顶尖的 TOR 表现，同时针对先进制程对超平整晶圆的极致要求，公司已在下一代产品中布局了高精度干涉测量、低噪声厚度测量模块、抗条纹印迹效应算法等多项革新性技术，为国内大硅片产业的技术升级提供核心设备支撑。
结语
在制程微缩与 3D 集成双轮驱动的半导体未来，量检测设备如同芯片制造“良率堡垒”上的瞭望塔与刻度尺。中安半导体凭借 ZP8 的 10.5nm 突破与半导体制造全流程的技术布局：形成了覆盖颗粒检测、3D 集成键合量测、硅片厂全流程管控的三大产品矩阵，真正实现了从衬底制造到芯片封装的良率管理全链条覆盖。
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